大学物理 ›› 1998, Vol. 17 ›› Issue (4): 8-8.

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能态密度及其在解释半导体物理问题中的应用

林鸿生   

  1. 中国科学技术大学物理系
  • 出版日期:1998-04-25 发布日期:1998-04-20

  • Online:1998-04-25 Published:1998-04-20

摘要: 通过对半导体杂质饱和电离,灰锡半导体特性以及Gunn效应等的解释,指出能态密度在研究半导体物理现象中的重要应用。

关键词: 能态密度, 杂质饱和电离, Gunn效应, 半导体物理

中图分类号: 

  • O471.5