大学物理 ›› 2008, Vol. 27 ›› Issue (11): 37-37.
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曲晓英[1] 李玉金[2]
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摘要： 采用微机控制和数字式数据采集系统，在变温环境下（77～420K）对长为6．0mm、宽为4．0mm、厚为0．6mm的锗样品薄片进行霍尔效直相关数据测量；通过对测量的霍尔电压作数据处理得到锗的霍尔系数RH（T）、电导率σ（T）和霍尔迁移率μH（T）与温度的依赖关系．该实验结果对学生理解半导体物理中的相关知识有重要意义．
关键词: 变温霍尔效应, 霍尔系数, 数据处理
Abstract: With digital computer control and data acquisition system, this paper carried out the Ge single crystal （6.0 mm long, 4.0 mm wide, 0, 6 mm thick） Hall effect from 77 K to 420 K, attained Hall coefficient RH （T）, Hall conductivity σ（T）, and Hall mobility μH（T） of the temperature dependence through analysis of the Hall voltage. This experiment results make a full impact for students on comprehending the knowledge of semiconductor physics.
Key words: Hall effect at different temperatrues, Hall coefficient, data analysis
中图分类号:
曲晓英[] 李玉金[]. 锗单晶体变温霍尔效应实验数据的处理[J]. 大学物理, 2008, 27(11): 37-37.
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