摘要: 半导体物理课程中PN结、金半接触与MIS结构为常见的几种接触情况,但学生在学习这些接触类型时,常常难以将这几种不同的接触类型做同质化的统一对比分析,不能形成统一的知识体系,造成了理解上的混乱.本文提出一种适用于各类接触情况的能带弯曲统一判断方法,从内建电场的建立会影响载流子的电势能从而产生能带弯曲的角度,为各类接触的能带弯曲提供了统一说法,并从能带中载流子流动的微观角度解释内建电场的形成.此判断方法可帮助学生梳理半导体物理各类接触的知识,从而在能带分析学习中达到举一反三的效果.
宋建军, 唐艾兰, 刘伟峰. 半导体物理中各类接触的能带弯曲统一判断方法[J]. 大学物理, 2024, 43(10): 44-.
SONG Jian-jun, TANG Ai-lan, LIU Wei-feng. Unified method for determining band bending of various contacts in semiconductor physics[J]. College Physics, 2024, 43(10): 44-.