大学物理 ›› 1996, Vol. 15 ›› Issue (10): 37-37.

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低温条件下半导体材料禁带宽度的测量

陆申龙[1] 曹正东[2]   

  1. [1]复旦大学物理系 [2]同济大学物理系
  • 出版日期:1996-10-25 发布日期:1996-10-20

  • Online:1996-10-25 Published:1996-10-20

摘要: 介绍用硅三级管作为样品,在低温150K-250K范围内,测量其PN结正向特征,可精确求得玻耳兹曼常量及硅半导体材料禁带宽度的值。

关键词: 低温恒温器, 玻耳兹曼常量, 禁带宽度, 半导体

中图分类号: 

  • TN307