用射频磁控溅射法制备金属／半导体颗粒膜

大学物理 ›› 2007, Vol. 26 ›› Issue (9): 43-43.

用射频磁控溅射法制备金属／半导体颗粒膜

黄宝歆

潍坊学院物理系,山东潍坊261061

出版日期:2007-09-25 发布日期:2007-09-20

Metal/semiconductor granular films prepared by RF magnetron sputtering method

Online:2007-09-25 Published:2007-09-20

摘要/Abstract

摘要： 用射频磁控溅射法制备了金属／半导体Fex（In2O3）1-x颗粒膜，研究了该系列颗粒膜的微结构和磁性．实验结果表明：纳米尺度的Fe颗粒均匀地分散在非晶态In2O3中．室温下样品具有超顺磁性，符合朗之万方程．

关键词: 微结构, 颗粒尺寸, 超顺磁性

Abstract: Metal/semiconductor Fex （In2O3）1-x granular films are prepared by RF sputtering method. The microstructure and magnetic properties are studied. The experiment results showed that the nanometer-sized Fe particles uniformly dispersed in the amorphous In2O3. At room temperature, the film shows superparamagnetic behavior, following the Langevin equation.

Key words: microstructure, grain size, superparamagnetism

中图分类号:

TB383

黄宝歆. 用射频磁控溅射法制备金属／半导体颗粒膜[J]. 大学物理, 2007, 26(9): 43-43.

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