大学物理 ›› 2009, Vol. 28 ›› Issue (12): 36-36.
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卡马勒·托克达尔汗 拜山·沙德克
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摘要： 通过分析磁性随机存储器（MRAM）的基本原理,及其与现有的静态存储器（SRAM）、动态存储器（DRAM）和快闪存储器（Flash）的性能比较,探讨了MRAM作为下一代新型存储器的应用前景.
关键词: 巨磁电阻, 隧道磁电阻, 磁隧道结, 磁性随机存储器
Abstract: The basic principle of magnetic random access memory（MRAM） is analyzed,the property with static random access memory（SRAM）,dynamic random access memory（DRAM） and flash are compared,and the application prospect of MRAM as the next generation memory is discussed.
Key words: giant magnetoresistance, tunnel magnetoresistance, magnetic tunnel junction, magnetic random access memory
中图分类号:
卡马勒·托克达尔汗 拜山·沙德克. 磁性随机存储器的研究进展[J]. 大学物理, 2009, 28(12): 36-36.
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