用变温霍尔效应估测锑化铟的禁带宽度

大学物理 ›› 2011, Vol. 30 ›› Issue (11): 32-32.

用变温霍尔效应估测锑化铟的禁带宽度

樊洁平努耳艾合买提江原如领王海燕

北京师范大学物理系,北京100875

出版日期:2011-11-25 发布日期:2011-11-20

Estimate the band gap of InSb by temperature dependent Hall effect

Online:2011-11-25 Published:2011-11-20

摘要/Abstract

摘要： 通过变温霍尔效应实验获得锑化铟的霍尔系数随温度变化的数据，根据半导体的霍尔系数随温度的变化规律，计算出禁带宽度，并且着重讨论禁带宽度的两种求法，比较了两种方法的计算精度．

关键词: 载流子, 本征激发, 禁带宽度, 霍尔系数

Abstract: In this paper, we obtain data about the Hall voltage of InSb changing with temperature. According to the relationship of the Hall coefficient of semiconductor and temperature, we calculate the band gap by using two methods, and compare the difference between the two methods for calculating the band gap.

Key words: carrier, intrinsic excitation, band gap, Hall coefficient

中图分类号:

O471.5

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