大学物理 ›› 2020, Vol. 39 ›› Issue (06): 39-43.doi: 10.16854 /j.cnki.1000-0712.190344
高茜,朱亚敏,喻纯旭,朱江
GAO Qian1,ZHU Ya-min2,YU Chun-xu3,ZHU Jiang3
摘要: 迄今为止,半导体材料的导电类型及很多参数的获得,仍需利用霍尔效应实验.然而,在霍尔效应发生的同时,有很
多副效应发生,这使得霍尔效应电压的测量值总与其真实值偏离,导致所测量的各种参数也存在一定的偏差.为了消除副效应
的影响,常常采用对称测量法,但对称测量法所测量的数据列仍然存在着对称性破缺.该文从载流子运动状态入手,逐步深入
分析得出,对称性破缺产生的根源是电场和磁场的共同作用,并发现磁场对于材料对称性的破坏作用大于电场.该文对于半导
体材料性能的深入研究,以及其各种功能的开发利用,具有一定的启发作用.